Las memorias de cambio de fase (Phase Change Memory, PCM) son un tipo de memoria no volátil que utiliza la propiedad de ciertos materiales de cambiar de fase entre un estado amorfo y un estado cristalino para almacenar información.

En las PCM, la información se almacena en celdas de memoria que consisten en una pequeña cantidad de material de cambio de fase que se encuentra entre dos electrodos.

Cuando se aplica una corriente eléctrica a través de los electrodos, el material cambia de fase entre el estado amorfo y el estado cristalino, lo que permite almacenar información en forma de ceros y unos en función de la resistencia eléctrica del material en cada estado.

La lectura de la información almacenada en las celdas de memoria de PCM se realiza midiendo la resistencia eléctrica del material de cambio de fase en cada celda. Cuando el material está en su estado amorfo, la resistencia eléctrica es alta, mientras que cuando está en su estado cristalino, la resistencia eléctrica es baja. De esta manera, se pueden leer los bits almacenados en cada celda de memoria de PCM.

Las memorias de cambio de fase tienen varias ventajas, entre las que destacan una alta velocidad de escritura y lectura, una gran densidad de almacenamiento y una alta resistencia a las fluctuaciones de temperatura.

Además, son más eficientes energéticamente que otras tecnologías de memoria no volátil y pueden reemplazar a los dispositivos de almacenamiento de estado sólido (SSD) en ciertas aplicaciones.