Samsung comienza la producción del primer V-NAND de 100 capas de la industria dirigido a SSD empresariales

Notas de Prensa 6 agosto, 2019

Samsung Electronics, el líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado a producir en serie unidades de estado sólido (SSD) SATA de 250 gigabytes (GB) que integran la sexta generación (1xx capas) de 256 gigabit (Gb) y tres bits V-NAND de la compañía para los fabricantes de equipos originales de PC a nivel mundial. Con el lanzamiento de una nueva generación de V-NAND en sólo 13 meses, Samsung ha reducido el ciclo de producción en masa en cuatro meses, asegurando al mismo tiempo el mayor rendimiento, la eficiencia energética y la productividad de la industria.

“Al llevar la tecnología de memoria 3D más avanzada a la producción en serie, somos capaces de introducir líneas de memoria oportunas que elevan significativamente el listón de la velocidad y la eficiencia energética”, dijo Kye Hyun Kyung, vicepresidente ejecutivo de productos y desarrollo de soluciones de Samsung Electronics. “Con ciclos de desarrollo más rápidos para los productos V-NAND de próxima generación, planeamos expandir rápidamente los mercados para nuestras soluciones de alta velocidad y alta capacidad basadas en V-NAND de 512 Gb”.

El único modelo de memoria 3D de una pila con un diseño de más de 100 capas

La sexta generación de V-NAND de Samsung presenta la tasa de transferencia de datos más rápida de la industria, capitalizando la ventaja de fabricación de la compañía que está llevando la memoria 3D a nuevas cotas.

Utilizando la exclusiva tecnología de’grabado en hueco de canal’ de Samsung, el nuevo V-NAND añade alrededor de un 40 por ciento más de celdas a la anterior estructura de pila única de 9x capas. Esto se logra construyendo una pila de moldes eléctricamente conductivos compuesta de 136 capas, luego perforando verticalmente agujeros cilíndricos de arriba hacia abajo, creando células uniformes de flash de trampa de carga en 3D (CTF).

A medida que la pila de moldes en cada área de celda aumenta en altura, los chips NAND flash tienden a volverse más vulnerables a los errores y a las latencias de lectura. Para superar estas limitaciones, Samsung ha incorporado un diseño de circuito optimizado de velocidad que le permite alcanzar la velocidad de transferencia de datos más rápida, por debajo de 450 microsegundos (μs) para las operaciones de escritura y por debajo de 45μs para las lecturas. En comparación con la generación anterior, esto representa una mejora de más del 10 por ciento en el rendimiento, mientras que el consumo de energía se reduce en más del 15 por ciento.

Gracias a este diseño de velocidad optimizada, Samsung podrá ofrecer soluciones V-NAND de próxima generación con más de 300 capas simplemente montando tres de las pilas actuales, sin comprometer el rendimiento o la fiabilidad del chip.

Además, el número de agujeros de canal necesarios para crear una densidad de chip de 256 Gb ha disminuido a 670 millones de agujeros desde los más de 930 millones de la generación anterior, lo que permite reducir el tamaño de los chips y los pasos del proceso. Esto supone una mejora de más del 20 por ciento en la productividad de la fabricación.

Aprovechando las características de alta velocidad y bajo consumo, Samsung planea no sólo ampliar el alcance de su V-NAND 3D en áreas como dispositivos móviles de próxima generación y servidores empresariales, sino también en el mercado del automóvil, donde la alta fiabilidad es extremadamente crítica.

Tras la presentación de hoy de las unidades SSD de 250 GB, Samsung tiene previsto ofrecer unidades SSD y eUFS en V-NAND de 512 Gb y tres bits en el segundo semestre de este año. La compañía también espera ampliar la producción de soluciones V-NAND de sexta generación de mayor velocidad y capacidad en su campus de Pyeongtaek (Corea) a partir del próximo año para satisfacer mejor la demanda de los clientes globales.

Referencia: Cronología de producción en masa de V-NAND de Samsung


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